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摘要：2013年9月5日，首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會”在深圳成功召開，來自中科院半導(dǎo)體研究所、南京大學(xué)、北京大學(xué)、科銳公司、西安電子科技大學(xué)等研究機(jī)構(gòu)以及企業(yè)的近百名人士參加了此次會議。蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長張乃千先生在會上

閱讀：13192014年06月25日 14:52:59

技術(shù)中心

硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價比照明

摘要：傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN） LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為2"或4"。業(yè)界一直在致力于用供應(yīng)更為豐富的硅晶圓（6"或更大）來發(fā)展GaN，因?yàn)楣枰r底可顯著降低成本，而且可以在自動化IC生產(chǎn)線上制造

閱讀：12672014年06月25日 14:52:59

技術(shù)中心

LED藍(lán)寶石基板與芯片背部減薄制程

摘要：目前在 LED制程中，藍(lán)寶石基板雖然受到來自Si與GaN基板的挑戰(zhàn)，但是考慮到成本與良率，藍(lán)寶石在近兩年內(nèi)仍然具有優(yōu)勢，可以預(yù)見接下來藍(lán)寶石基板的發(fā)展方向是大尺寸與圖案化（PSS）。由于藍(lán)寶石硬度僅次于鉆石，因此對它進(jìn)行減薄與表面平坦化加工非常困難，

閱讀：11462014年06月25日 14:52:59

技術(shù)中心

LED襯底、外延及芯片的技術(shù)發(fā)展趨勢

摘要：技術(shù)發(fā)展和工藝改進(jìn)，使 LED成本大幅度下降，推動了LED應(yīng)用的全面發(fā)展。為進(jìn)一步提升LED節(jié)能效果，全球相關(guān)單位均投入極大的研發(fā)力量，對LED性能、可靠性進(jìn)行深入的研究開發(fā)，特別在LED襯底、外延、芯片的核心技術(shù)研究方面，已取得突破性成果。對LED發(fā)展提出

閱讀：12922014年06月25日 14:52:59

技術(shù)中心

LED芯片的制作工藝“十二步”

摘要：上游芯片技術(shù)一直是國內(nèi) LED的瓶頸，核心技術(shù)大部分都掌握在國外，下面介紹一下芯片制程的工藝： 1. LED芯片檢驗(yàn) 鏡檢：材料表面是否有機(jī)械損傷及麻點(diǎn)麻坑lockhill芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求電極圖案是否完整 2.LED擴(kuò)片由于LED芯片在劃片后依然排

閱讀：11242014年06月25日 14:53:00

技術(shù)中心

LED芯片壽命試驗(yàn)過程全解析

摘要：LED 具有體積小，耗電量低、長壽命環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，在實(shí)際生產(chǎn)研發(fā)過程中，需要通過壽命試驗(yàn)對 LED芯片的可靠性水平進(jìn)行*價，并通過質(zhì)量反饋來提高LED芯片的可靠性水平，以保證LED芯片質(zhì)量。 1、引言作為電子元器件，發(fā)光二極管 (LightEmittingDiode-led)已出

閱讀：11642014年06月25日 14:53:00