本研究實驗部分之結(jié)構(gòu)是以類似超薄分離量子井摻雜結(jié)構(gòu)使元件能有最低的起動電壓、最好的發(fā)光效率、以及最高的電激發(fā)光強度[2]，再利用模擬軟體(ETFOS)以調(diào)變發(fā)光層中Alq3其Gause分佈之半高寬寬度的方式，并將模擬所得到的結(jié)果與實驗所得之發(fā)光光譜相比對，藉此了解實驗中改變不同摻雜濃度所對應(yīng)其半高寬寬度改變的相對關(guān)系。
結(jié)果發(fā)現(xiàn)當(dāng)實驗裡摻雜濃度越濃時，模擬中所需調(diào)變之Gause分佈半高寬需越小，才可使模擬中光譜圖的Alq3之波峰降低，由于Alq3發(fā)光光譜波形是在一固定范圍裡，所以如果以Gause分佈來看，其半高寬越小則代表光強度越低，此可驗證當(dāng)紅光摻雜物太濃時會有較純的紅光，但亮度卻會比低摻雜濃度低時來的弱；反之，半高寬越大則表示，紅光摻雜物摻雜太少時會有較強之光強度，但元件于高亮度下則會顯示橙色而不是純的紅色光。綜合以上，可把模擬應(yīng)用于實驗上，利用模擬驗證其相關(guān)理論，以方便往后製作理想之有機(jī)發(fā)光二極體。
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