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　　如業界預期，三星電子(Samsung Electronics)于前宣布將加碼資本支出，以提升該公司的半導體與平面顯示器制造產能。

　　根據三星所發表的聲明，該公司2010年資本支出總額將達到18兆韓圜(約157億美元)水準，其中8兆韓圜(70億美元)將用于研發。此外三星的聲明也指出，隨著投資新生產線，該公司預期在2010年新招募1萬名員工，其中有3,000人屬于半導體業務、4,000人屬于LCD業務。

　　先前三星透露該公司今年資本支出總額將至少達到8.5兆韓圜(74億美元)的資本支出，而新計畫則是光半導體產能的資本支出就高達11兆韓圜(96億美元)，LCD制造部分的支出規模則為5兆韓圜(43億美元)。

　　“盡管全球經濟環境與商業狀況仍然具變動性與不確定性，而如果我們積極擴增產能，仍意味著三星未來有取得進一步成長的機會?！比强偛肒un-Hee Lee在一份聲明中表示。

　　三星近日也舉行了一座新內存芯片制造廠的動土典禮，該Line-16廠房位于韓國京畿道華城的Nano City Complex園區，預計2011年開始量產，總造價估計為12兆韓圜(約50億美元)。該廠占地面積約56萬平方公尺，量產時月產能約2萬片12吋晶圓。

　　Line-16將是三星繼2005年開始營運Line-15廠之后首度興建的新廠，隨著新廠的動工，三星的內存事業群也將2010年度的設備投資金額由原先的5.5兆韓圜(約48億美元)，加碼到9兆韓圜(約78億美元)。

　　三星內存業務投資內容包括新建的DRAM、NAND與下一代內存制造廠Line-16，也將擴充現有Line-15的產能，用以制造30奈米等級的DDR3；對Line-15廠的產能擴充，估計可讓三星的30奈米等級DDR3生產比例，在今年底提升至10%以上。

　　此外三星今年也將在System LSI業務方面投資約2兆韓圜(17億美元)，以因應手機與數字電視等產品對系統級芯片(SoC)的強勁需求，同時也強化其晶圓代工業務。